マイクロ電子工学およびOpto電子産業への2つのインチから4インチGEのウエファー
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:3仕事日
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正会員
Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
2インチからの4インチへの直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業へのGEのウエファー
私達は単結晶GEのウエファー（ゲルマニウムのウエファー）の世界的な製造者であり、単結晶GEのインゴット、2インチ提供することで強い利点がからの4インチに直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業へGEのウエファーをある。GEのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のGEのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用でwidly使用される。私達はあなたの独特なゲルマニウムの必要性を満たすために低い転位およびepi準備ができたGEのウエファーを提供してもいい。GEのウエファーは半によって作り出される。、高品質管理システムとクリーン ルームの環境の真空密封の標準的なカセットで標準的な、詰められて、私達はきれいな、良質GEのウエファー プロダクトの提供に捧げられる。私達は電子工学の等級を提供してもいく、IRの等級GEのウエファーは、より多くのGEの製品に関する情報のための私達に連絡する
単結晶のゲルマニウムのウエファーの機能
SWIは電子工学の両方等級を提供でき、IRの等級GEのウエファーおよびGEのインゴットは、より多くのGEの製品に関する情報のための私達に連絡する。
| 伝導性 | 添加物 | 抵抗 （オームcm） | ウエファーのサイズ |
|---|---|---|---|
| NA | Undoped | >= 30 | 4インチまで |
| Nのタイプ | Sb | 0.001 | 30 | 4インチまで |
| Pのタイプ | Ga | 0.001 | 30 | 4インチまで |
適用:
半導体デバイス、マイクロエレクトロニクス、センサー、太陽電池、IRの光学。
GEのウエファーの特性
| 化学式 | GE |
| 結晶構造 | 立方 |
| 格子変数 | a=0.565754 |
| 密度（g/cm3） | 5.323 |
| 熱伝導性 | 59.9 |
| 融点（°C） | 937.4 |
製品仕様書
| 成長 | Czochralski |
|---|---|
| 直径 | Øの2"/Ø 3"/Ø 4" |
| 厚さ | 500 um | 625 um |
| オリエンテーション | <100>/<111>/<110>または他 |
| 伝導性 | P - タイプ/N -タイプ |
| 添加物 | ガリウム/アンチモン/Undoped |
| 抵抗 | 0.001 | 30オームcm |
| 表面 | SSP/DSP |
| TTV | <= 10 um |
| 弓/ゆがみ | <= 40 um |
| 等級 | 電子工学の等級 |
マイクロ電子工学およびOpto電子産業への2つのインチから4インチGEのウエファー
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