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高い純度のAl2O3>99.995%R9ミラーはRタイプEPI準備ができたウエファーの端を磨いた
JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ(mm)の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料
ケイ素(Si)およびゲルマニウム(GE)のベースの装置の高性能はチップセットが性能で非常に速いようにする可能な直通のサファイアの基質に作ることができる。SiおよびGEの存在はチップセットの高い電子移動度そして低い対の欠陥密度を保障する。SiGe装置の電子移動度はSi装置の場合にはより高い。
変数 | 指定 | ||
単位 | ターゲット | 許容 | |
材料 | 高い純度のAl2 O3 (>99.995%) | ||
直径 | mm | 50.8 | ±0.10 |
厚さ | μm | 430 | ±15 |
表面のオリエンテーション | C平面(0001) | ||
- M軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.20 | ±0.10 |
-軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
平らなオリエンテーション | 平面(11-20) | ||
-平らなオフセット角 | 程度 | 0.0 | ±0.2 |
平らな長さ | mm | 16.0 | ±1 |
R平面 | R9 | ||
前部表面の粗さ(RA) | nm | <0.3 | |
背部表面の粗さ | μm | 0.8~1.2μm | |
前部表面質 | ミラーは、EPI準備ができた磨いた | ||
ウエファーの端 | Rタイプ | ||
小さな溝の広さ | μm | 80-160 | |
平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン | mm | R=9 | |
TTV | μm | ≤5 | |
LTV (5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
弓 | μm | 0~-5 | |
ゆがみ | μm | ≤10 | |
レーザーの印 | 必要な顧客ように |
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
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