サファイアのウエファーの青緑LEDのウエファーの平らなサファイアの4inch GaN 100つのmm
型式番号:JDWY03-001-031
原産地:蘇州中国
支払の言葉:T/T
供給の能力:10000pcs/Month
受渡し時間:3-4 週日
包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
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4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファーの平らなサファイア100の± 0.2 mm
サファイアSSPの4インチ青いLED GaNのエピタキシアル ウエファー
青いLEDsのための主原料は大きいエネルギー分離を用いるガリウム窒化物、強い材料、または電子と穴間の『ギャップ』、である--このギャップは青いライトを作り出すために出された光子のエネルギーの調整で重大である。
発光ダイオード（LEDs）はガリウム窒化物（GaN）から高性能の白いソリッド ステート照明の認識に導いた製造した。
青いLEDsの作成のもう一つの大きな問題は精密のp添加のGaNの難しさだった。GaNが亜鉛原子と添加されたときに1980年代後半に、AmanoおよびAkasakiはことを、それ出したより多くのライトを発見し、こうしてこれはよりよいp添加を与えた。この現象はNakamuraによって記事で後で説明された。
| 4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー | ||||
基質 | タイプ | 平らなサファイア | ||
| ポーランド | （SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP） | |||
| 次元 | 100 ± 0.2 mm | |||
| オリエンテーション | M軸線0.2の± 0.1°の方の角度を離れたCの平面（0001） | |||
| 厚さ | 650 ± 25のμm | |||
Epilayer | 構造 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μmのuGaN | ||
| 厚さ | 5.5 ± 0.5μm | |||
| 荒さ（RA） | <0> | |||
| 転位密度 | < 5="">8つのcm-2 | |||
| 波長 | 青いLED | 緑LED | ||
| 465 ± 10 nm | 525 ± 10 nm | |||
| 波長FWHMs | < 25="" nm=""> | < 40="" nm=""> | ||
| 破片の性能 | voltage@1のさし込みのμA | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
| 使用可能な区域 | > 90% （端およびマクロ欠陥の排除） | |||
パッケージ | 単一のウエファーの容器のクリーンルームで包まれる | |||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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私達は工場である。
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はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
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支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
サファイアのウエファーの青緑LEDのウエファーの平らなサファイアの4inch GaN 100つのmm
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