IR2106STRPBFの半導体ICの破片の柔らかいTurn-Off機能性の高性能ゲートの運転者IC
型式番号:IR2106STRPBF
原産地:Mulit起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品名:IR2106STRPBFの半導体ICの破片
製品の説明:
この半導体ICの破片はいろいろな適用の信頼できる性能そして改善された効率を提供するように設計されている。それは記憶保護機構の作り付けのhigh-currentゲートの運転者、過電圧の保護および広い範囲が付いている高性能MOSFETの運転者を特色にする。それは高められた信頼性のための延長温度較差そして改善された電力損失を提供する。
プロダクト変数:
- 作動の電圧:8Vへの20V
- 実用温度:-40°Cへの+125°C
- 出力電流:4A
- 出力電圧:-20Vへの+20V
- 転換の頻度:100kHzまで
- 記憶保護機構:過電圧、不足電圧、温度過昇、短絡、およびもっと
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