IRG4BC20FDPBF IGBT力モジュール600 V高い現在の超低いVCE （土曜日）
型式番号:IRG4BC20FDPBF
原産地:元
最低順序量:1
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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IRG 4紀元前に20FDPBF IGBT力モジュール-産業適用のための高い現在の超低いVCE （坐る）
製品の説明:
IRG4BC20FDPBF IGBT力モジュールはいろいろな適用の優秀な性能を提供するように設計されている。このモジュールは自由奔放なダイオードが付いているinsulated-gate両極トランジスター（IGBT）を特色にする。それは高い現在の制御、高い切り替え速度および低い電力の損失を提供することができる。作動の電圧の広い範囲によって、この力モジュールはいろいろなパワー エレクトロニクスの適用のために適している。
特徴:
•600V IGBT
•惰性で動くダイオード
•高い現在の制御
•高い切り替え速度
•低い電力の損失
•広い作動の電圧範囲
•高い実用温度範囲
•低い熱抵抗
•高いサージ電流の機能
•良質の分離
•費用効果が大きい設計
指定:
•Collector-Emitter電圧:600V
•Collector-Base電圧:600V
•Emitter-Base電圧:6V
•最高のコレクター流れ:20A
•最高のコレクターの電源切れ:0.7W
•最高の転換の頻度:100kHz
•実用温度範囲:-40°Cへの
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