パワーエレクトロニクスにおける AO4612 MOSFET
型式番号:AO4612
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所：
1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
AO4612 MOSFET パワー エレクトロニクス - 高効率と信頼性を実現するために最適化
AO4612 - パワーMOSFETトランジスタ
AO4612 は、高性能、低電圧、N チャネル MOSFET トランジスタです。幅広いアプリケーションで電力、パフォーマンス、コストの最適な組み合わせを提供するように設計されています。
特徴：
•低オン抵抗: Rds(on) = 11.4mΩ @Vgs = 10V
・高速：trr = 11.9ns
•大電流能力: Id = 60A
•低ゲート電荷: Qg = 19nC
•優れた熱性能: 熱抵抗 = 1.9°C/W
•低リーク電流: Isat = <1uA @Vds = 10V
•広い動作範囲: Vds = -10V ～ +20V
•高アバランシェエネルギー: EAS = 115mJ
•高周波動作: fT = 6MHz
パッケージタイプ: TO-220AB
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パワーエレクトロニクスにおける AO4612 MOSFET
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