IRF6665TRPBF Mosfet 集積回路 Low-RDS(On) による効率向上
型式番号:IRF6665TRPBF
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRF6665TRPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
効率を向上させる高性能 Low-RDS(on)
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 62ミリオーム @ 5A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 13nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 530 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.2W(Ta)、42W(Tc) | |
動作温度 | -40℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | ダイレクトフェット™ SH | |
パッケージ・ケース |
製品説明：
IRF6665TRPBF は、IRF Technologies のパワー MOSFET です。この N チャネル MOSFET は、最大 55 ボルトまで処理できるように設計されており、オン抵抗は 3.2 ミリオームと低くなります。最大ドレイン電流は 55 アンペアで、最大消費電力は最大 740 ワットです。このデバイスは TO-220AB パッケージにパッケージされています。
製品パラメータ:
- タイプ: NチャネルMOSFET
- 電圧: 55V
- オン抵抗: 3.2ミリオーム
- 最大ドレイン電流: 55 アンペア
- 最大消費電力: 740 ワット
- パッケージ：TO-220AB
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IRF6665TRPBF Mosfet 集積回路 Low-RDS(On) による効率向上
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