FDMA908PZ NチャネルエンハンスメントMOSFET 50V 90A 20mΩ NチャネルMOSFET
型式番号:FDMA908PZ
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品説明: FDMA908PZ MOSFET パワー エレクトロニクス
パラメーター：
• 電圧: 8V - 28V
• パッケージ: TO-220
• 最大連続ドレイン電流: 8A
• 最大消費電力: 16W
• RDS(オン): 0.19 オーム
• 動作温度範囲: -55°C ～ +150°C
• ゲートしきい値電圧: 1.9V
• 入力容量: 680pF
• 出力静電容量: 200pF
• 立ち下がり時間: 61ns
• 立ち上がり時間: 52ns
• ドレイン・ソース間耐圧: 28V
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V、4.5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 12.5ミリオーム @ 12A、4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 34nC @ 4.5V | |
Vgs (最大) | ±8V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3957 pF @ 6 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.4W(Ta) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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FDMA908PZ NチャネルエンハンスメントMOSFET 50V 90A 20mΩ NチャネルMOSFET
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