Mosfet トランジスタ NVMFS5C646NLAFT1G 低オン抵抗、高効率、耐久性
型式番号:NVMFS5C646NLAFT1G
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MOSFET パワー エレクトロニクス NVMFS5C646NLAFT1G
製品説明：
MOSFET パワー エレクトロニクス NVMFS5C646NLAFT1G は、動作電圧 20 V、最大ドレイン-ソース電圧 30 V の N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス モジュールです。このモジュールは、低いゲートしきい値電圧と低い入力容量を特徴としており、パワー エレクトロニクス アプリケーションに最適です。このモジュールには統合された低抵抗ソース/ドレイン ダイオードが装備されており、最大 5A の連続電流定格を処理できます。
製品の特徴：
• NチャンネルMOSFETパワーエレクトロニクスモジュール
• 動作電圧: 20V
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 30V
• 低いゲートしきい値電圧
• 低い入力容量
• 統合された低抵抗ソース・ドレイン・ダイオード
• 連続電流定格: 5A
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.7ミリオーム @ 50A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 33.7 nC @ 10 V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2164 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.7W(Ta)、79W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利
• SKL
は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>
• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンライン チャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>
• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24
時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
Mosfet トランジスタ NVMFS5C646NLAFT1G 低オン抵抗、高効率、耐久性
お問い合わせカート
0