共通力Mosfet NTMFS5C604NLT3Gの高性能および信頼できる
型式番号:NTMFS5C604NLT3G
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
プロダクト リスト:NTMFS5C604NLT3G MOSFETのパワー エレクトロニクス
製品の機能:
•N-channel MOSFET
•60V下水管源の電圧
•4A連続的な下水管の流れ
•低いオン抵抗
•低い境界の電圧
•速い切り替え速度
•改善された険しさ
•ハロゲンなし
•迎合的なRoHS
•100%のなだれはテストした
•無鉛
適用:
•DC/DCのコンバーター
•一般目的の切換え
•無停電電源装置
•力率訂正
•ソリッド ステート照明
•転換モード電源
プロダクト状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 1.2mOhm @ 50A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 120 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 8900 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 3.9W （Ta）、200W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 5-DFN （5x6） （8-SOFL） | |
パッケージ/場合 | ||
基礎プロダクト数 |
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