BSC0901NSATMA1一般的なパワーMOSFETモジュールの高効率と信頼性
型式番号:BSC0901NSATMA1
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
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BSC0901NSATMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス
製品説明：
BSC0901NSATMA1 は、優れたスイッチング性能と電力供給を提供するように設計された高性能 MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。シリコン・オン・インシュレーター (SOI) テクノロジーで構築されており、モーター制御、デジタル電源、スイッチング電源、太陽電池インバーターなどのアプリケーションに最適です。低ゲート電荷、低オン抵抗、高周波動作、優れた熱管理を実現します。
製品の特徴：
• 高周波動作
• ゲート電荷が低い
・低いオン抵抗
• 優れた熱管理
• シリコン・オン・インシュレーター (SOI) テクノロジー
• 最大ドレイン・ソース間電圧600V
• 最大ピーク電流 40A
• 最大消費電力 500W
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.9ミリオーム @ 30A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2800 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.5W(Ta)、69W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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