パワーMOSFET IPD60R2K1CEAUMA1 高電力、低オン抵抗、電力スイッチング
型式番号:IPD60R2K1CEAUMA1
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス
製品説明：
IPD60R2K1CEAUMA1 は、パワー スイッチング アプリケーション向けに最適化された N チャネル パワー MOSFET
です。このデバイスは、優れた RDS(ON) と低いゲート電荷を実現する高度なトレンチ MOSFET
テクノロジーを使用して設計されています。高速スイッチング時間と低レベルのゲート電荷により、優れたスイッチング性能を実現します。幅広い
VDSS を備えたこのデバイスは、さまざまな電力アプリケーションに適しています。
特徴：
• NチャンネルパワーMOSFET
• 高度なトレンチ MOSFET テクノロジー
• 電力スイッチング用途向けに最適化
• 低 RDS(ON)
• ゲート電荷が低い
• 高速スイッチング時間
• 低レベルのゲート電荷
• 幅広い VDSS
• さまざまな電力用途に最適
仕様:
• ドレイン・ソース間電圧 (VDSS): 60V
• ドレイン電流 (ID): 2A
・RDS(ON)：1.45mΩ
• ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
• 最大消費電力 (PD): 2.2W
• 動作温度: -55°C ～ +150°C
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.1オーム @ 760mA、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 60μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6.7nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 140 pF @ 100 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 38W(Tc) | |
動作温度 | -40℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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パワーMOSFET IPD60R2K1CEAUMA1 高電力、低オン抵抗、電力スイッチング
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