IRL60HS118 MOSFET パワーエレクトロニクスの Mosfet 高電圧高電流低オン抵抗
型式番号:IRL60HS118
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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IRL60HS118 MOSFET パワーエレクトロニクス 製品一覧
製品名: IRL60HS118 MOSFET パワーエレクトロニクス
説明: このMOSFETは、スイッチング電源、モータードライブ、パワーアンプなどの高周波アプリケーションで使用するために設計されています。低いオン抵抗、低いゲート電荷、高速なスイッチング速度により、優れたスイッチング性能を実現します。
特徴と利点:
• 低いオン抵抗: 低い伝導損失と改善された効率を実現します。
• 低ゲート電荷: 高速スイッチング時間を実現
• 高周波動作: 高周波スイッチング用途に最適
• RoHS 準拠: RoHS 環境規制に準拠しています。
仕様:
• ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 400V
• 連続ドレイン電流 (Id): 15A
• ゲート・ソース間電圧 (Vgs): ±20V
• 消費電力 (Pd): 135W
• 動作温度範囲: -55°C ～ +175°C
• トランジスタケースのスタイル: TO-220AB
• チャネルタイプ: N チャネル。
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 17ミリオーム @ 11A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 10μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 8nC @ 4.5V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 660 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 11.5W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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IRL60HS118 MOSFET パワーエレクトロニクスの Mosfet 高電圧高電流低オン抵抗
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