パワーエレクトロニクスにおけるMOSFET Si2307CDS-T1-GE3高性能低電圧スイッチング
型式番号:SI2307CDS-T1-GE3
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品名: Si2307CDS-T1-GE3 MOSFET
製品説明: Si2307CDS-T1-GE3 MOSFET は、さまざまなパワー エレクトロニクス アプリケーションで使用するために設計された高性能パワー MOSFET です。低いオン抵抗、速いスイッチング時間、低いゲート電荷が特徴です。超低逆転送容量と改善されたゲート電荷により、スイッチング損失と導通損失が最小限に抑えられます。
主な特徴:
• 低いオン抵抗
• 高速スイッチング時間
• 低いゲート電荷
• 超低逆転送容量
• ゲートチャージの改善
• 低い伝導損失
• 高い消費電力
• 高温動作
• 低い入力容量
• 高周波動作
アプリケーション:
• DC-DCコンバータ
・電源回路
• モーター制御回路
• スイッチングレギュレータ
• 照明制御
• バッテリー充電器
• パワーアンプ
• 太陽光発電システム
• 自動車用途
• 産業用途
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パワーエレクトロニクスにおけるMOSFET Si2307CDS-T1-GE3高性能低電圧スイッチング
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