概要
この P チャネルロジックレベル MOSFET は、onsemi を使用して製造されています。
先進のパワートレンチプロセス。バッテリーに最適化されています
電源管理アプリケーション。

特徴
• 最大 RDS(on) = 50 m @ VGS = −10 V、ID = −4 A
• 最大 RDS(on) = 75 m @ VGS = −4.5 V、ID = −3.4 A
• 低いゲート電荷
• 極めて低い RDS(on) を実現する高性能トレンチテクノロジー
• 鉛フリー、ハロゲン化物フリー、RoHS 準拠

アプリケーション
• バッテリー管理
・ロードスイッチ
• バッテリー保護
・DC-DC変換

• バッテリー保護当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。

FETタイプ	Pチャンネル
テクノロジー	MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4A(タ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	50ミリオーム @ 4A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	8.1nC @ 5V
Vgs (最大)	±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	470 pF @ 15 V
FETの特徴	-
消費電力(最大)	1.6W(Ta)
動作温度	-55℃～150℃(TJ)
取付タイプ	表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ	SuperSOT™-6
パッケージ・ケース	SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクスシングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクスシングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクスシングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクス シングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクス シングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクス シングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクスシングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクスシングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m

FDC658AP MOSFET パワーエレクトロニクスシングル P チャネル POWERTRENCH ロジックレベル -30 V -4 A 50 m