MOSFET パワーエレクトロニクス MGSF2N02ELT1G SOT-23 パッケージ 2.8 A 20 VN チャネルエンハンスメントモード MOSFET トランジスタ
型式番号:MGSF2N02ELT1G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MOSFET力エレクトロニクスMGSF2N02ELT1G SOT-23 パッケージ 2.8 A 20 VN チャネルエンハンスメントモード MOSFET トランジスタ
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V、4.5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 85ミリオーム @ 3.6A、4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.5nC @ 4V | |
Vgs (最大) | ±8V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 150 pF @ 5 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 1.25W(Ta) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
パッケージ・ケース |
これらの小型表面実装 MOSFET は、低い RDS(on) を保証します。
電力損失を最小限に抑え、エネルギーを節約するため、これらのデバイスは理想的です
スペースに敏感な電源管理回路での使用向け。
特徴
• 低い RDS(on) により効率が向上し、バッテリ寿命が延長されます。
• 小型 SOT-23 表面実装パッケージにより基板スペースを節約
• IDSS は高温で仕様化されています
• AEC Q101 認定および PPAP 対応 - MVSF2N02EL
• これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。
アプリケーション
・DC-DCコンバータ
• ポータブル製品およびバッテリ駆動製品の電源管理。つまり、次のとおりです。
コンピュータ、プリンタ、PCMCIA カード、セルラーおよびコードレス
電話
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