MCH6341-TL-W MOSFETのパワー エレクトロニクス6-MCPHのパッケージ59mΩ 5Aの単一のP-Channel ESDはゲートをダイオード保護した
型式番号:MCH6341-TL-W
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
MCH6341-TL-W MOSFETのパワー エレクトロニクス
6-MCPHパッケージ59mΩ 5Aの単一のP-Channel ESDはゲートをダイオード保護した
プロダクト状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 59mOhm @ 3A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.6V @ 1mA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 10 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 430 pF @ 10ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | - | |
実用温度 | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 6-MCPH | |
パッケージ/場合 |
特徴
•低いRDS （）
•4Vドライブ•PbなしおよびRoHSの承諾
•ESDはゲートをダイオード保護した
指定
Ta=25°Cの絶対最高評価
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MCH6341-TL-W MOSFETのパワー エレクトロニクス6-MCPHのパッケージ59mΩ 5Aの単一のP-Channel ESDはゲートをダイオード保護した
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