NTJS3157NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス シングル N チャネル トレンチ ローサイド ロード スイッチ SC-88 20 V 4.0 A
型式番号:NTJS3157NT1G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
単一の P チャネル (–1.5 V) 指定された PowerTrench® MOSFET単一の P チャネル (–1.5 V) 指定された PowerTrench® MOSFETNTJS3157NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス シングル N チャネル トレンチ ローサイド ロード スイッチ
SC-88 20 V 4.0 A
–20V、 –0。83A、0.5 Ω
–20V、 –0。83A、0.5 Ω単一の P チャネル (–1.5 V) 指定された PowerTrench® MOSFET
–20V、 –0。83A、0.5
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V、4.5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60ミリオーム @ 4A、4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | |
Vgs (最大) | ±8V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 500pF@10V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 1W(タ) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
パッケージ・ケース |
特徴
• 低RDS(ON)を実現する最先端のトレンチテクノロジーによりバッテリ寿命を延長
• 高速スイッチングによる回路効率の向上
• SC-88 最大回路基板用の小さな外形 (2 x 2 mm)
使用法、SC-70-6と同じ
• これらは鉛フリーのデバイスです
• 低RDS(ON)を実現する最先端のトレンチテクノロジーによりバッテリ寿命を延長
• 高速スイッチングによる回路効率の向上
• SC-88 最大回路基板用の小さな外形 (2 x 2 mm)
使用法、SC-70-6と同じ
• これらは鉛フリーのデバイスです
アプリケーション
・DC-DC変換
• ローサイドロードスイッチ
• 携帯電話、コンピューティング、デジタル カメラ、MP3、PDA
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• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
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NTJS3157NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス シングル N チャネル トレンチ ローサイド ロード スイッチ SC-88 20 V 4.0 A
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