FDMC6679AZ 高効率アプリケーション向けデュアルチャネル N チャネルエンハンスメントモード MOSFET パワーエレクトロニクス
型式番号:FDMC6679AZ
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDMC6679AZ 高効率アプリケーション向けデュアルチャネル N チャネルエンハンスメントモード MOSFET
パワーエレクトロニクス
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10ミリオーム @ 11.5A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 91nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±25V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3970 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.3W(Ta)、41W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
パッケージ・ケース |
製品リスト:
製品名: ON Semiconductor FDMC6679AZ NチャネルパワーMOSFET
製品説明: ON Semiconductor FDMC6679AZ N チャネル パワー MOSFET は、幅広いアプリケーションで優れた性能、信頼性、低消費電力を提供するように設計された完全空乏型、低電圧、高速デバイスです。
製品の特徴：
• Nチャンネル
• 低電圧動作
・高速スイッチング
• 低消費電力
• 高い電流容量
• 高いスイッチング周波数
• ゲート電荷が低い
• 高温動作
• 低いオン抵抗
• RoHS対応
製品仕様：
• 定格電圧: 20V
• 連続ドレイン電流: 27A
• 最大ドレイン・ソース電圧: -30V
• ドレイン・ソースオン抵抗: 0.0045Ω
• ゲートしきい値電圧: 2.5V
• 最大動作温度: 175°C
• 取り付けタイプ: 表面実装
• パッケージ/ケース: TO-252
当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
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FDMC6679AZ 高効率アプリケーション向けデュアルチャネル N チャネルエンハンスメントモード MOSFET パワーエレクトロニクス
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