IRFU220NPBF MOSFET パワーエレクトロニクス高性能、低オン抵抗、低ゲート電荷

型式番号:IRFU220NPBF

原産地:原物

最低順序量:1

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供給の能力:999999

受渡し時間:1-3幾日

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Shenzhen China

住所： 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

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製品詳細会社概要

製品詳細

IRFU220NPBF MOSFET パワーエレクトロニクス高性能、低オン抵抗、低ゲート電荷

特徴：

• Nチャンネル
• ロジックレベルゲート
• 低いオン抵抗
• 高速スイッチング機能
• 低いゲートしきい値電圧
• 高入力インピーダンス
• 低い入力容量
• 高利得帯域幅積
• RoHS対応

包装: TO-220AB

構成: シングル

ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 200V

ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V

ドレイン電流 (ID): 25A

連続ドレイン電流 (ID): -25A

ドレイン・ソース間オン状態抵抗 (RDS(ON)): 0.065Ω

最大ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V

消費電力 (PD): 30W

動作温度範囲: -55°C ～ +150°C

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