AOD508 MOSFET パワー エレクトロニクス ディスクリート半導体 N チャネル 30V 50W 面実装パッケージ TO-252
型式番号:AOD508
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
AOD508 MOSFET パワー エレクトロニクス
ディスクリート半導体 N チャネル 30V 50W 表面実装パッケージ TO-252
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3ミリオーム @ 20A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 49nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2010 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.5W(Ta)、50W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
概要
• 最新のトレンチパワーMOSFETテクノロジー30V
• 10VGS で非常に低い RDS(on)
• 低いゲート電荷
• 大電流能力
• RoHSおよびハロゲンフリーに準拠
アプリケーション
• コンピューティングにおける DC/DC コンバータ
• 通信および産業用絶縁型 DC/DC コンバータ
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AOD508 MOSFET パワー エレクトロニクス ディスクリート半導体 N チャネル 30V 50W 面実装パッケージ TO-252
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