AON7534 MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャネル 30V 23W（Tc） 面実装 パッケージ 8-DFN-EP
型式番号:AON7534
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
AON7534 MOSFET パワー エレクトロニクス
Nチャンネル 30V 23W (Tc) 面実装パッケージ 8-DFN-EP
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5ミリオーム @ 20A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 22nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1037 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3W(Ta)、23W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN-EP (3x3) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
概要
• トレンチパワーMOSFETテクノロジー30V
• 4.5VGS で非常に低い RDS(on)
• 低いゲート電荷
• 大電流能力
• RoHSおよびハロゲンフリーに準拠
応用
• コンピューティング、サーバー、POL における DC/DC コンバータ
• 通信および産業用絶縁型 DC/DC コンバータ
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AON7534 MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャネル 30V 23W（Tc） 面実装 パッケージ 8-DFN-EP
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