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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOSTM パワー トランジスタ 60VパッケージPG-TSDSON-8 フロリダ
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.9ミリオーム @ 20A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 14μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1300 pF @ 30 V | |
FETの特徴 | 標準 | |
消費電力(最大) | 36W(Tc) | |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL | |
パッケージ・ケース |
特徴
•高性能SMPS、egsync.rec用に最適化。
•100%雪崩テスト済み
・優れた耐熱性
・Nチャンネル
•JEDECに準拠した認定1)対象アプリケーション
•鉛フリー鉛めっき、RoHS準拠
•IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー