BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOSTM パワー トランジスタ 60V パッケージ PG-TSDSON-8 FL

型式番号:BSZ099N06LS5ATMA1
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
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製品詳細

BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOSTM パワー トランジスタ 60VパッケージPG-TSDSON-8 フロリダ


FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9.9ミリオーム @ 20A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.3V @ 14μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300 pF @ 30 V
FETの特徴
標準
消費電力(最大)
36W(Tc)
動作温度
-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8-FL
パッケージ・ケース

特徴
•高性能SMPS、egsync.rec用に最適化。
•100%雪崩テスト済み
・優れた耐熱性
・Nチャンネル
•JEDECに準拠した認定1)対象アプリケーション
•鉛フリー鉛めっき、RoHS準拠
•IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー


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