FCB070N65S3 MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャンネル SUPERFET III イージードライブ 650 V 44 A 70 m パッケージ TO-263
型式番号:FCB070N65S3
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Nチャンネルパワートレンチ
PチャネルQFET® MOSFET
FCB070N65S3 MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャンネル SUPERFET III イージードライブ 650 V
44 A 70 mパッケージTO-263
-60 V、 -12 あ、 135
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 70ミリオーム @ 22A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 4.4mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 78nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3090 pF @ 400 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 312W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
パッケージ・ケース |
説明
SUPERFET III MOSFET は、オン・セミコンダクターの新しい高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET
ファミリであり、チャージ
バランス技術を利用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先進技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供するように調整されており、
極端な dv/dt レートに耐えます。したがって、SUPERFET III MOSFET
は、システムの小型化と高効率化を目的としたさまざまな AC/DC 電力変換に非常に適しています。
特徴
• 700 V @ TJ = 150°C
• RDS(on) = 62 m (標準値)
• 超低ゲート電荷 (標準 Qg = 78 nC)
• 低い実効出力容量 (標準 Coss(eff.) = 715 pF)
• 100% 雪崩テスト済み
• これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。
アプリケーション
• テレコム/サーバー電源
• 産業用電源
• UPS / ソーラー
• バッテリー保護当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
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