FDP18N50 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル UniFETTM パッケージ TO-220 スイッチング パワー コンバータ アプリケーション
型式番号:FDP18N50
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDP18N50 MOSFET パワーエレクトロニクス N チャネル UniFETTMパッケージ TO-220スイッチングパワーコンバータアプリケーション
Nチャンネルパワートレンチ
PチャネルQFET® MOSFET
-60 V、 -12 あ、 135
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 265ミリオーム @ 9A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2860 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 235W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
パッケージ・ケース |
特徴
• RDS(on) = 220 mΩ (標準) @ V GS = 10 V、ID = 9 A
• 低いゲート電荷 (標準値 45 nC)
• 低いC rss (標準値25 pF)
• 100% 雪崩テスト済み
アプリケーション
• LCD/LED/PDP TV
• 照明
• 無停電電源装置
説明
UniFET TM MOSFET は、プレーナー ストライプおよび DMOS テクノロジーに基づいた Fairchild
Semiconductor の高電圧 MOSFET ファミリです。
この MOSFET は、オン状態抵抗を低減し、より優れたスイッチング性能とより高いアバランシェ
エネルギー強度を提供するように調整されています。このデバイス ファミリは、力率改善 (PFC)、フラット パネル ディスプレイ
(FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ安定器などのスイッチング電力コンバータ アプリケーションに適しています。
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• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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