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FDD86250-F085 MOSFET パワー エレクトロニクス
TO-252-3 パッケージ N チャネル シールド ゲート PowerTrench 分散アーキテクチャ
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 22ミリオーム @ 20A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 37nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1900 pF @ 75 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 160W(Tj) | |
動作温度 | -55℃~175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
パッケージ・ケース |
特徴
∎ 標準 RDS(on) = 19.4 mΩ (VGS = 10V、ID = 20 A)
∎ VGS = 10V、ID = 40A での標準 Qg(tot) = 28nC
« UIS 機能
" RoHS対応
« AEC Q101 に準拠
アプリケーション
自動車エンジン制御
パワートレイン管理
« ソレノイドおよびモータードライバー
« 統合されたスターター/オルタネーター
分散型電源アーキテクチャと VRM
« 12V システム用のプライマリ スイッチ
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