FDD8880 MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252-3のパッケージのN-ChannelのPowerTrench® MOSFET 30V大将の速い切り替え速度
型式番号:FDD8880
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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会社概要
製品詳細
FDD8880 MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252-3のパッケージのN-ChannelのPowerTrench® MOSFET 30V大将の速い切り替え速度
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 9mOhm @ 35A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.5V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 31 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1260 pF @ 15ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 55W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-252AA | |
パッケージ/場合 |
記述
このN-Channel MOSFETは同期か慣習的な切換えPWMのコントローラーを使用してDC/DCのコンバーターの全体的効率を改善するようにとりわけ設計されていた。それは低いゲート充満、低いr DS （で）および速い切り替え速度のために最大限に活用された。
特徴
•r DS （） = 9mΩ、V GS = 10V、ID = 35A
•r DS （） = 12mΩ、V GS = 4.5V、I D = 35A
•極端に低いr DSのための高性能の堀の技術（）
•低いゲート充満
•高い発電および現在の処理の機能MOSFETの最高
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