FQT1N60CTF-WS MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-261-4のパッケージのN-Channel QFETエネルギー強さ
型式番号:FQT1N60CTF-WS
原産地:原物
最低順序量:1
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FQT1N60CTF-WS MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-261-4のパッケージのN-Channel QFETエネルギー強さ
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 11.5Ohm @ 100mA、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 6.2 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±30V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 170 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 2.1W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-223-4 | |
パッケージ/場合 |
記述
このN−Channelの強化モード力MOSFETはオン・セミコンダクターの専有平面の縞およびDMOSの技術を使用して作り出される。この高度MOSFETの技術は特にon−stateの抵抗を減らし、優秀な転換の性能および高いなだれエネルギー強さを提供するために合った。これらの装置は転換されたモード電源、アクティブな電源の要因訂正（PFC）、および電子ランプのバラストのために適している。
特徴
•0.2 A、600ボルト、RDS （） = 9.3 （タイプ。） @ VGS = 10ボルト、ID = 0.1 A
•低いゲート充満（タイプ。4.8 NC）
•低いCrss （タイプ。3.5 pF）
•100%のなだれはテストした
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである
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FQT1N60CTF-WS MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-261-4のパッケージのN-Channel QFETエネルギー強さ
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