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NTGS3455T1G MOSFET力ElectronicsPチャネルの効率の延長電池
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | ||
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | ||
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 4.5V、10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 100mOhm @ 3.5A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 13 NC @ 10ボルト | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 480 pF @ 5ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 500mW (Ta) | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 6-TSOP | |
パッケージ/場合 |
特徴
•超低いRDS ()
•高性能の延長電池の寿命
•ミニチュアTSOP−6表面の台紙のパッケージ
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
適用
•ポータブルおよびBattery−Poweredプロダクトの力管理、すなわち:
細胞およびコードレス電話およびPCMCIAカード
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