FDPF18N20FT MOSFETのパワー エレクトロニクス–低いオン抵抗および高温操作を転換する高性能
型式番号:FDPF18N20FT
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDPF18N20FT MOSFETのパワー エレクトロニクス–低いオン抵抗および高温操作を転換する高性能
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 140mOhm @ 9A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 5V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 26 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±30V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1180 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 41W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-220F-3 | |
パッケージ/場合 |
オン・セミコンダクターからのFDPF18N20FT MOSFETのパワー エレクトロニクス
製品の説明:
FDPF18N20FTは高速、オン・セミコンダクターからの力MOSFETである。高周波切換えおよび力転換を含む広い応用範囲の優秀な性能を、提供することを設計する。装置は統合されたPowerTrench MOSFETの構造および高度の実装技術を特色にする。
特徴:
•低いオン抵抗
•高速切換え
•優秀な熱性能
•強いESDの保護
•迎合的なPbなしおよびRoHS
指定:
•下水管源の電圧:20V
•下水管源のオン抵抗:0.39Ω
•ゲート充満:17nC
•下水管源の締切り電圧:0.35V
•ゲート源の電圧:5.5V
•最高の下水管の流れ:25A
•最高の電力損失:200W
•実用温度範囲:-55°Cへの175°C
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