FCH072N60最大限に活用された力の変換効率のための高性能高圧N-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
型式番号:FCH072N60
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FCH072N60最大限に活用された力の変換効率のための高性能高圧N-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 72mOhm @ 26A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.5V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 125 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 5890 pF @ 380ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 481W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-247-3 | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
FCH072N60
製造業者:オン・セミコンダクター
変数:
タイプ:N-channel MOSFET
Vdss （下水管源の電圧）:600V
ID （連続的な下水管の流れ）:72A
Rds （抵抗で）:0.08Ω
Vgs （ゲート源の電圧）:±20V
Qg （ゲート充満）:55nC
Pd （最高の電力損失）:300W
パッケージ:TO-247AC
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