

Add to Cart
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | ||
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | ||
(最高) @ ID、VgsのRds | 1.21mOhm @ 50A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3.5V @ 190µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 75 NC @ 10ボルト | |
Vgs (最高) | +20V、-16V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 4960 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 4.3W (Ta)、136.4W (Tc) | |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-HPSOF | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDBL9406-F085T6力MOSFET
•強い設計および低いオン抵抗
•175°C接合部温度
•低いゲート充満
•なだれの険しい技術
•速い切換え
•ゲートの境界の電圧のためにテストされる100%
•オン抵抗のためにテストされる100%
•迎合的なRoHS
•自由なハロゲン
•200Vは下水管源の絶縁破壊電圧を評価した
•低いゲートのインピーダンス
•速いボディ ダイオード
•ESDは保護した
•低い出力キャパシタンス
•二重N-Channel
•高い発電および現在の処理容量