MOSFETのパワー エレクトロニクスFDBL9406-F085T6 –高性能高信頼性のHigh-Current可能な転換装置

型式番号:FDBL9406-F085T6
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細
MOSFETのパワー エレクトロニクスFDBL9406-F085T6 –高性能高信頼性のHigh-Current可能な転換装置
 
 
FETのタイプ
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
(最高) @ ID、VgsのRds
1.21mOhm @ 50A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
3.5V @ 190µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
75 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
+20V、-16V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
4960 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
4.3W (Ta)、136.4W (Tc)
実用温度
-55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け
製造者装置パッケージ
8-HPSOF
パッケージ/場合

 

 

プロダクト リスト:

オン・セミコンダクターFDBL9406-F085T6力MOSFET

•強い設計および低いオン抵抗
•175°C接合部温度
•低いゲート充満
•なだれの険しい技術
•速い切換え
•ゲートの境界の電圧のためにテストされる100%
•オン抵抗のためにテストされる100%
•迎合的なRoHS
•自由なハロゲン
•200Vは下水管源の絶縁破壊電圧を評価した
•低いゲートのインピーダンス
•速いボディ ダイオード
•ESDは保護した
•低い出力キャパシタンス
•二重N-Channel
•高い発電および現在の処理容量

 

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MOSFETのパワー エレクトロニクスFDBL9406-F085T6 –高性能高信頼性のHigh-Current可能な転換装置

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