フェアチャイルドの半導体FDBL86066-F085のN-Channelの強化モードMOSFETのパワー エレクトロニクス装置
型式番号:FDBL86066-F085
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
フェアチャイルドの半導体FDBL 86066 - F085のN-Channelの強化モードMOSFETのパワー エレクトロニクス装置
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 4.1mOhm @ 80A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 69 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 3240 pF @ 50ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 300W （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-HPSOF | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
製品名:FDBL86066-F085
製造業者:オン・セミコンダクター
製品タイプ:MOSFETのパワー エレクトロニクス
最高の連続的な下水管の流れ:8.5A
最高の下水管の源の電圧:60V
（最高） @ IDのRds:2.2mOhm @ 10A
パッケージ/場合:8-DFLA
タイプの取付け:穴を通して
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フェアチャイルドの半導体FDBL86066-F085のN-Channelの強化モードMOSFETのパワー エレクトロニクス装置
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