高速転換の適用のためのフェアチャイルドFCP190N60-GF102のN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクスのトランジスター
型式番号:FCP190N60-GF102
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
フェアチャイルドFCP 190N60-高速転換の適用のためのGF102のN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクスのトランジスター
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 199mOhm @ 10A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.5V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 74 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 2950 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 208W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-220-3 | |
パッケージ/場合 |
OnSemi FCP190N60-GF102力MOSFET
製品の説明:
OnSemi FCP190N60-GF102は25°Cに60Vの評価される電圧、190Aの連続的な下水管の流れ、および500Vの最高の下水管源の電圧のN-Channel力MOSFETである。FCP190N60-GF102は最高の効率のために最大限に活用され、典型的な20 NCの低いゲート充満がある。それはまた25°Cで0.012Ωの改善されたRDSの（）性能、および1.2Aの高い現在の処理の機能を特色にする。なお、FCP190N60-GF102に150°Cの最高使用可能温度があり、DC-DCのコンバーター、家電および自動車適用のような広い応用範囲のために適している。
特徴:
•評価される電圧:60V
•連続的な下水管の流れ:25°Cの190A
•最高の下水管源の電圧:500V
•ゲート充満:典型的な20 NC
•RDS （）:25°Cの0.012Ω
•高い現在の処理:1
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