FDC653N MOSFETのパワー エレクトロニクスのN-Channelの強化モード トランジスターSOT-23-6塗布
型式番号:FDC653N
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
会社概要
製品詳細
FDC 653N MOSFETのパワー エレクトロニクス
N-Channelの強化モード トランジスターSOT-23-6塗布
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 35mOhm @ 5A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 17 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 350 pF @ 15ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 1.6W （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SuperSOT™-6 | |
パッケージ/場合 |
FDC 653Nは密集したSOT-23-6パッケージの電力損失を最大にするように設計されているN-channelの強化モード電界効果トランジスタ（FET）である。それは高性能、低いオン抵抗、低い入力キャパシタンス、速く切り替え速度および低いゲートに下水管充満を特色にする低いゲート充満MOSFETである。
FDC 653NはDC-DCのコンバーターのような高い現在の、高周波転換の適用、モーター運転者および転換の電源にとって理想的である。それは優秀な電力損失に非常に低いオン抵抗および低いゲート充満および低い転換の損失提供する。FDC 653Nは無鉛退潮はんだ付けするプロセスと迎合的な、互換性があるRoHSである。
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FDC653N MOSFETのパワー エレクトロニクスのN-Channelの強化モード トランジスターSOT-23-6塗布
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