高性能の転換の適用30V 49AのためのFDMS8023SのN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス

型式番号:FDMS8023S
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
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製品詳細 会社概要
製品詳細
高性能の転換の適用30V 49AのためのFDMS8023SのN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
 

 

技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
4.5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
2.4mOhm @ 26A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
3V @ 1mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
57 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
3550 pF @ 15ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
2.5W (Ta)、59W (Tc)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
製造者装置パッケージ
8-PQFN (5x6)
パッケージ/場合

 

プロダクト リスト:

製品名:オン・セミコンダクターFDMS8023SのN-Channel力MOSFET

記述:FDMS8023Sはオン・セミコンダクターからのN-Channel力MOSFETである。低いオン州の抵抗および速い切り替え速度を提供することを設計し統合されたゲートの保護ダイオードを含んでいる。

 

特徴:
- 低いオン州の抵抗
- 速い切り替え速度
- 統合されたゲートの保護ダイオードを含んでいる

 

指定:
- 電圧評価:30V
- 現在の評価:30A
- 電力損失:4.1W
- 実用温度範囲:-55°Cへの150°C

 

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