N チャネル MOSFET パワーエレクトロニクス - 優れた効率と信頼性テクノロジーを備えた FDMS8025S 30 V 24A (Ta)

テクノロジー	MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	24A(Ta)、49A(Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.8ミリオーム @ 24A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (最大)	±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3000 pF @ 15 V
FETの特徴	-
消費電力(最大)	2.5W(Ta)、50W(Tc)
動作温度	-55℃～150℃(TJ)
取付タイプ	表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ	8-PQFN (5x6)
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN

製品リスト:

FDMS8025S NチャネルエンハンスメントモードMOSFET

メーカー: オン・セミコンダクター

パラメーター：

• ドレイン・ソース間電圧: -20V

• 連続ドレイン電流: -25A

• RDS (オン): -25 ミリオーム

• 消費電力: -60W

• 動作温度: -55°C ～ +150°C

• パッケージング: -TO-263

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N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス - 優れた効率と信頼性テクノロジーを備えた FDMS8025S 30 V 24A (Ta)

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