NTHD3101FT1G 高周波スイッチングアプリケーション向け 8-SMD MOSFET パワーエレクトロニクス トランジスタ
型式番号:NTHD3101FT1G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NTHD3101FT1G8-SMDMOSFET力エレクトロニクストランスイスターために高い-F頻度スイッチしているアプリケーション
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V、4.5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 80ミリオーム @ 3.2A、4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | |
Vgs (最大) | ±8V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 680 pF @ 10 V | |
FETの特徴 | ショットキー ダイオード (絶縁型) | |
消費電力(最大) | 1.1W(Ta) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | チップFET™ | |
パッケージ・ケース |
製品リスト:
製品名: NTHD3101FT1G MOSFET パワーエレクトロニクス
メーカー：オンセミ
パッケージ: 8-SMD
パラメーター：
・VDSS：-30V
・RDS(on)：0.006Ω
●ID:-30A
・Qg：9nC
・入力容量（Ciss）：327pF
・出力容量（Coss）：35pF
•遷移周波数 (フィート): 8GHz
•パルスドレイン電流 (IDM): -60A
・閾値電圧（VGS(th)）：-2.3V
当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>
• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンライン チャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>
• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>
• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンライン チャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>
• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
NTHD3101FT1G 高周波スイッチングアプリケーション向け 8-SMD MOSFET パワーエレクトロニクス トランジスタ
お問い合わせカート
0