良質SOT-223パッケージNVF6P02T3G MOSFETのパワー エレクトロニクスのP-Channel -10 A -20 V
型式番号:NVF6P02T3G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
良質SOT-223パッケージNVF 6P02T3G MOSFETのパワー エレクトロニクスのP-Channel -10 -20のV
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 2.5V、4.5V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 50mOhm @ 6A、4.5V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 1V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 20 NC @ 4.5ボルト | |
Vgs （最高） | ±8V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1200 pF @ 16ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 8.3W （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-223 （TO-261） | |
パッケージ/場合 |
製品の説明:
オン・セミコンダクターNVF6P02T3GはN-channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。この装置は6Vゲートの境界から作動するように設計され10V下水管源の電圧で2.3mΩの低いオン抵抗を特色にする。パッケージはSOT-223である。
製品の機能:
•N-channel MOSFET
•6Vゲートの境界
•10V下水管源の電圧の2.3mΩの低いオン抵抗
•パッケージ:SOT-223
•製造業者:オン・セミコンダクター
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