NTMS4177PR2G 8-SOIC MOSFETのパワー エレクトロニクス モジュールのP-Channel 30ボルト11.4のA
型式番号:NTMS4177PR2G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NTMS 4177 PR2G 8- SOIC MOSFETのパワー エレクトロニクス モジュールのP-Channel 30 V 11.4のA
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 12mOhm @ 11.4A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.5V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 55 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 3100 pF @ 24ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 840mW （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-SOIC | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターNTMS4177PR2GのN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
プロダクト変数:
•パッケージ:8-SOIC
•下水管源の電圧:40V
•現在を流出させなさい:34A
•（最高） @ ID、VgsのRds:4.1 mOhm @ 34A、10V
•ゲート充満（Qg） @ Vgs:15.9nC @ 10V
•パワー最高:5.6W
•実用温度:-55°C | 150°C （TJ）
•タイプの取付け:表面の台紙
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