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NTGS 3443 T1G MOSFETのパワー エレクトロニクス4.4 Amps P−Channel 20ボルトのTSOP−6
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | ||
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | ||
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 2.5V、4.5V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 65mOhm @ 4.4A、4.5V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 15 NC @ 4.5ボルト | |
Vgs (最高) | ±12V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 565 pF @ 5ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 500mW (Ta) | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 6-TSOP | |
パッケージ/場合 |
特徴
•超低いRDS ()
•高性能の延長電池の寿命
•ミニチュアTSOP−6表面の台紙のパッケージ
•これらの装置はPb−Free、迎合的なRoHSである
•自動車および他の適用要求のためのNVGSの接頭辞
独特な場所および制御変化の条件;AEC−Q101
可能な修飾され、PPAP
適用
•ポータブルおよびBattery−Poweredプロダクトの力管理、
すなわち:細胞およびコードレス電話およびPCMCIAカード