NTR3C21NZT1G SOT-23 MOSFETのパワー エレクトロニクス力の単一のN-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm20 V 3.6 A
型式番号:NTR3C21NZT1G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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NTR 3C21NZT 1G SOT-23 MOSFETのパワー エレクトロニクス力の単一のN-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm20 V 3.6 A
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 1.8V、4.5V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 24mOhm @ 5A、4.5V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 1V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 17.8のNC @ 4.5ボルト | |
Vgs （最高） | ±8V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1540 pF @ 16ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 470mW （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-23-3 （TO-236） | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターNTR3C21NZT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSOT-23
特徴:
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•低い入出力漏出
•低いゲート充満
•低い境界の電圧
•ESDの保護
適用:
•自動車
•電池管理
•コンバーター
•産業
•運動制御
•システム力管理
指定:
•パッケージ:SOT-23
•構成:N-Channel
•トランジスター極性:N-Channel
•下水管源の電圧（Vdss）:30ボルト
•ゲート源の電圧（Vgs）:±20 V
•現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:-0.2 A
•（最高） @ ID、VgsのRds:0.0085オーム@ 0.2 A、10ボルト
•パワー最高:350 MW
•実用温度:-55°Cへの175°C （TJ）
•タイプの取付け:表面の台紙
•製造者装置パッケージ:SOT-23
•Pd -電力損失
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