MOSFETのパワー エレクトロニクスSQJ463EP-T1 GE3:高性能、安価解決

型式番号:SQJ463EP-T1 GE3
原産地:Mult起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所: 1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 38 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

プロダクト リスト:

 

プロダクト:SQJ463EP-T1 GE3 MOSFET

 

VDSS:30ボルト

 

ID:2.6 A

 

RDS ():0.09 Ω

 

VGS:+/- 20ボルト

 

Pd:6.5 W

 

Qg:8.5 NC

 

Qgd:0.7 NC

 

Qgs:4.5 NC

 

構成:単一

 

実用温度範囲:-55°Cへの+150°C

 

 

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MOSFETのパワー エレクトロニクスSQJ463EP-T1 GE3:高性能、安価解決

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