IRF7380TRPBF MOSFETの高性能強力な力の電子スイッチ
型式番号:IRF7380TRPBF
原産地:Mult起源
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
プロダクト リスト:IRF7380TRPBF力MOSFETの特徴:•N-Channelの強化モード•論理のレベルのゲート•低いオン抵抗•175°C実用温度•なだれエネルギーは評価した•改善されたdv/dtの機能•速い切り替え速度•RoHSの迎合的な指定:•下水管源の電圧（VDS）:-100V•連続的な下水管の流れ（ID）:-55A•脈打った下水管の流れ（IDM）:-110A•ゲート源の電圧（VGS）:-20V•ゲートの境界の電圧（VGS （Th））:-2V•オン抵抗（RDS （））:-0.0085Ω•電力損失（PD）:-150W•実用温度範囲:-55°Cへの175°C•タイプの取付け:- SMD/SMT
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IRF7380TRPBF MOSFETの高性能強力な力の電子スイッチ
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