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プロダクト リスト:IRF7380TRPBF力MOSFETの特徴:•N-Channelの強化モード•論理のレベルのゲート•低いオン抵抗•175°C実用温度•なだれエネルギーは評価した•改善されたdv/dtの機能•速い切り替え速度•RoHSの迎合的な指定:•下水管源の電圧(VDS):-100V•連続的な下水管の流れ(ID):-55A•脈打った下水管の流れ(IDM):-110A•ゲート源の電圧(VGS):-20V•ゲートの境界の電圧(VGS (Th)):-2V•オン抵抗(RDS ()):-0.0085Ω•電力損失(PD):-150W•実用温度範囲:-55°Cへの175°C•タイプの取付け:- SMD/SMT
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