IRFI4212H-117P MOSFET パワーエレクトロニクス効率向上のための高性能パワーエレクトロニクス

型式番号:IRFI4212H-117P

原産地:Mulit起源

最低順序量:1

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供給の能力:999999

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製品詳細

製品リスト:

IRFI4212H-117P MOSFET

製品説明：

この MOSFET は、高性能スイッチングアプリケーション向けに設計された高度な高電圧、高速、低オン抵抗デバイスです。最新の HEXFET テクノロジーで構築されており、優れた効率、低ゲート電荷、高速スイッチング速度を実現します。

主な特徴:

• 最大ドレイン・ソース電圧 (VDS): 600V
• 最大ドレイン電流 (ID): 112A
• 最大 RDS(on): 0.0095Ω
• 最大パルスドレイン電流 (IDM): 224A
•シス：1808pF
• ゲートしきい値電圧 (VGS): 4V
• 最高動作温度 (Tj): 175°C

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