IRLR3410TRLP MOSFETのパワー エレクトロニクス優秀な性能のための高性能MOSFETのパワー エレクトロニクス

型式番号:IRLR3410TRLPBF
原産地:Mulit起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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IRLR3410TRLPBF MOSFET

 

特徴:

 

•低い下水管源のオン抵抗
•超低いゲート充満
•100V下水管源の電圧
•10Vゲート源の電圧
•低いゲートの出力キャパシタンス
•迎合的なRoHS
•Pbなしのパッケージ

 

指定:


•下水管源の電圧:100V
•ゲート源の電圧:10V
•現在を流出させなさい(連続的):34A
•現在を流出させなさい(脈打つ):68A
•下水管源のオン抵抗:4.8mΩ
•ゲート源の漏出:10nA
•ゲート下水管の漏出:10nA
•前方相互コンダクタンス:12.7S
•入れられたキャパシタンス:47pF
•出力キャパシタンス:11pF
•実用温度:-55°Cへの175°C
•パッケージ:TO-252

 

 

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