2N7002K-T1-GE3高性能NチャネルMOSFETのパワーエレクトロニクスの解決

型式番号:2N7002K-T1-GE3

原産地:原物

最低順序量:1

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供給の能力:999999

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Shenzhen China

住所： 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

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製品詳細会社概要

製品詳細

2N7002 KT 1- GE3の高性能

NチャネルMOSFETのパワーエレクトロニクスの解決

製品の説明:

2N7002K-T1-GE3は低電圧、高速転換の適用のために設計されているN-Channelの強化モードMOSFETである。このMOSFETは低いオン州の抵抗、速く切り替え速度および最も高いピークの現在の機能を特色にする。

製品の機能:

- N-Channelの強化モード
- 低いオン州の抵抗
- 高速切換え
- 低い入力キャパシタンス
- 最も高いピークの現在の機能
- 最高の電圧評価:30V
- 最高の現在の評価:200mA
- 最高の電力損失:500mW
- 実用温度範囲:-55°Cへの+150°C

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