SI7430DP-T1-GE3 MOSFET パワー エレクトロニクス高性能低電圧小型ソリューション

型式番号:SI7430DP-T1-GE3
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細

SI7430DP-T1-GE3 MOSFET 電源

エレクトロニクスの高性能、低電圧、小型ソリューション


特徴:


• 耐久性を向上させるための強化されたチャネル温度と電力定格
• 低いオン抵抗と速いスイッチング速度
• 低いゲート電荷と低いしきい値電圧
• 超低 RDS(on) による伝導損失の低減
• 100% 雪崩テスト済み
• 鉛フリー、RoHS 準拠



仕様:


• パッケージ: D-Pak (TO-252)
• ドレイン・ソース間電圧: 30V
• ゲート・ソース間電圧: ±20V
• ドレイン電流: 30A
• オン抵抗: 0.035Ω
• 消費電力: 250W
• 動作温度範囲: -55°C ~ +150°C


当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利


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China SI7430DP-T1-GE3 MOSFET パワー エレクトロニクス高性能低電圧小型ソリューション supplier

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