SI7658ADP-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの良質の高性能および信頼性

型式番号:SI7658ADP-T1-GE3

原産地:原物

最低順序量:1

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製品詳細会社概要

製品詳細

SI7658ADP-T1-GE3 MOSFET

パワーエレクトロニクスの良質の高性能および信頼性

製品の説明:

SI7658ADP-T1-GE3は埋め込まれたゲートの保護ダイオードが付いているN-Channel MOSFETである。この装置は高い側面の転換の適用の使用のために設計されている。それは高度の高圧MOSFETの加工技術を使用して製造される。

主な特長:

- VDS （v）:70
- RDS （）（mΩ）:5.5
- ID （a）:8
-パッケージ:SO-8
-埋め込まれたゲートの保護ダイオード

適用:
の高さの側面の切換え
-自動車適用
-電池管理
-産業制御

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