IRGB4062DPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低損失の高い現在の切換え。

型式番号:IRGB4062DPBF

原産地:原物

最低順序量:1

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供給の能力:999999

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製品詳細会社概要

製品詳細

IRGB4062DPBF MOSFET

パワーエレクトロニクスの高性能の低損失の高い現在の切換え。

記述:

IRGB4062DPBFはTO-252パッケージで収納されるN-channel MOSFETである。それは力管理、力転換および力の切換えを含むいろいろな適用の使用のために、設計されている。

特徴:

- N-channel、低電圧の、高性能MOSFET
- 最高の下水管源の電圧:60V
- 下水管源のオン州の抵抗:0.43オーム
- 最高のゲート源の電圧:20V
- 最高の電力損失:3.2W
- 実用温度範囲:-55°Cへの+150°C
- パッケージのタイプ:TO-252

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